[참고] 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

※ 나노 앞에 숫자가 줄어들수록 시간당 소비전력이 줄어듬.

    즉 40나노 보다는 20 나노가 더 최신 기술이 적용된 좋은 제품입니다.

20나노인지 30나노인지 40나노인지는 램에 붙어있는 칩의 파트번호로 확인하는 것이 제일 정확합니다. 

삼성 정품 메모리를 구매하면 스티커가 붙어 있습니다. 스티커에 기재된 내용으로 대충 몇나노인지 구분할수 있습니다.

2Rx8 은 양면 메모리이며 각 면에 칩이 8개 박혀있다는 것을 말합니다.

단면이면 1Rx8 이 되겠죠.

PC용 DDR3 메모리의 경우 앞의 M378B 는 공통입니다. 10번째 부분은 (사진의 경우 F) 컴포넌트의 버전을 나타냅니다. 즉 앞의 시리얼이 같을때 C 보다는 F로 표기된게 더 최신기술이 적용된 제품이겠죠.

11번째 H는 FBGA(Lead-free & Halogen-free) 이며 B 인 경우는 FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)입니다.

M378B5273DH0-CH9  30나노  (C 에서 D 로 넘어가면서 30나노)

M378B5773DH0-CH9  30나노  (C 에서 D 로 넘어가면서 30나노)

M378B5673GB0-CH9  30나노  (F 에서 G 로 넘어가면서 30나노)

M378B5273CH0-CH9  40나노

M378B5773CH0-CH9  40나노

M378B5673FH0-CH9  40나노

M378BxxxxDB0-CK0 25나노  (DDR3 12800U 4G 단면)

M378B5173EB0-CK0 28나노 

(DDR3 12800U 4G 단면) - Made in KoreaM378BxxxxBH0-CK0 30나노  (DDR3 12800U 4G 단면)M378B5173QH0-CK0 35나노  (DDR3 12800U 4G 단면)  - Made in Philippines

M378B5273DH0-CK0  (DDR3 12800U 4G 양면)

제일 끝의 CH9 는 1.5 v DDR3-10600 임을 가리킵니다.

DDR3-12800 인 경우는 CK0 입니다. 

뒤에 1138은 2011년도 38주에 생산되었다는 것을 말해줍니다.

CPU-Z 에서도 확인가능한데요. CPU-Z 와 스티커 내용이 다르면 스티커를 바꿔서 붙인 것이겠죠. ㅎㅎㅎ

2009년 47주차 에 생산된 제품이며, FH0 으로 보아 40나노 인것을 알 수 있습니다.

JEDEC 표준인 경우 30나노와 40 나노를 서로 혼용해서 사용해도 상관은 없다는군요.

하지만 될 수록 양면으로 구입하는 것이 좋습니다.

다른 회사의 제품 램과 혼용할 경우, 메인보드에 따라서 단면램은 인식을 못하는 증상이 있습니다.

삼성 반도체 홈페이지에 가도 DDR4 로 메인 페이지가 바뀐것을 봐서, 앞으로 DDR3 메모리 가격은 더이상 폭등하지는 않고 떨어질것으로 예상됩니다.

삼성램은 생산주차를 기준으로 무상 1년 6개월입니다.

From: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/product/computing-dram/resource

From: http://samsungsemiconstory.com